Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RV4L016SNHZGTCR1
RV4L016SNHZGTCR1

RV4L016SNHZGTCR1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RV4L016SNHZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 1.6A SMALL SIGNAL MOSFET
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.91 грн
10+46.35 грн
100+30.28 грн
500+21.93 грн
1000+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RV4L016SNHZGTCR1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RV4L016SNHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.305 ohm, DFN1616-6W, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1616-6W, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm.

Інші пропозиції RV4L016SNHZGTCR1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RV4L016SNHZGTCR1 RV4L016SNHZGTCR1 ROHM rv4l016snhzgtcr1-e.pdf Description: ROHM - RV4L016SNHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.305 ohm, DFN1616-6W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1616-6W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RV4L016SNHZGTCR1 rv4l016snhzgtcr1-e.pdf
RV4L016SNHZGTCR1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV4L016SNHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.305 ohm, DFN1616-6W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1616-6W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.