RV5A040APTCR1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 4A DFN1616-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V, 0V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 23.03 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RV5A040APTCR1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RV5A040APTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.062 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1616, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm.
Інші пропозиції RV5A040APTCR1 за ціною від 18.26 грн до 87.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RV5A040APTCR1 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 12V 4A DFN1616-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerWFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: DFN1616-8S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): -8V, 0V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V |
на замовлення 5995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RV5A040APTCR1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs DFN1616 P-CH 12V 4A |
на замовлення 5888 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RV5A040APTCR1 | ROHM |
Description: ROHM - RV5A040APTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.062 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1616 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm |
на замовлення 1028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RV5A040APTCR1 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 4A DFN1616-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V, 0V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
Description: MOSFET P-CH 12V 4A DFN1616-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V, 0V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 80.32 грн |
| 10+ | 52.64 грн |
| 100+ | 35.40 грн |
| 500+ | 26.25 грн |
| 1000+ | 23.41 грн |
| RV5A040APTCR1 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN1616 P-CH 12V 4A
MOSFETs DFN1616 P-CH 12V 4A
на замовлення 5888 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.99 грн |
| 10+ | 40.48 грн |
| 100+ | 31.20 грн |
| 500+ | 24.18 грн |
| 1000+ | 23.22 грн |
| 3000+ | 18.93 грн |
| 6000+ | 18.26 грн |
| RV5A040APTCR1 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV5A040APTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.062 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1616
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
Description: ROHM - RV5A040APTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.062 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1616
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)