Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RV5A040APTCR1
RV5A040APTCR1

RV5A040APTCR1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RV5A040AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 4A DFN1616-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): -8V, 0V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1616-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RV5A040APTCR1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RV5A040APTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.062 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1616, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm.

Інші пропозиції RV5A040APTCR1 за ціною від 23.26 грн до 79.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RV5A040APTCR1 RV5A040APTCR1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RV5A040AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 4A DFN1616-6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): -8V, 0V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1616-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.82 грн
10+52.31 грн
100+35.18 грн
500+26.08 грн
1000+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV5A040APTCR1 RV5A040APTCR1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RV5A040AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs DFN1616 P-CH 12V 4A
на замовлення 5918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RV5A040APTCR1 RV5A040APTCR1 ROHM rv5a040aptcr1-e.pdf Description: ROHM - RV5A040APTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.062 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1616
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RV5A040APTCR1 datasheet?p=RV5A040AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV5A040APTCR1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 4A DFN1616-6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): -8V, 0V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1616-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.82 грн
10+52.31 грн
100+35.18 грн
500+26.08 грн
1000+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RV5A040APTCR1 datasheet?p=RV5A040AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV5A040APTCR1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN1616 P-CH 12V 4A
на замовлення 5918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RV5A040APTCR1 rv5a040aptcr1-e.pdf
RV5A040APTCR1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV5A040APTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.062 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1616
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.