RV5C040APTCR1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 4A DFN1616-6
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): -8V, 0V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1616-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 83.69 грн |
| 10+ | 51.64 грн |
| 100+ | 36.88 грн |
| 500+ | 28.23 грн |
| 1000+ | 23.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RV5C040APTCR1 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 4A DFN1616-6, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): -8V, 0V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN1616-8S, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-PowerWFDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RV5C040APTCR1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RV5C040APTCR1 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs DFN1616 P-CH 20V 4A |
на замовлення 5976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RV5C040APTCR1 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN1616 P-CH 20V 4A
MOSFETs DFN1616 P-CH 20V 4A
на замовлення 5976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)