на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 74.83 грн |
10+ | 66.08 грн |
100+ | 44.84 грн |
500+ | 37.06 грн |
1000+ | 29.28 грн |
3000+ | 27.23 грн |
6000+ | 25.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RV5C040APTCR1 ROHM Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 4A DFN1616-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerWFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: DFN1616-8S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): -8V, 0V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RV5C040APTCR1 за ціною від 24.52 грн до 85.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RV5C040APTCR1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerWFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: DFN1616-8S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): -8V, 0V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V |
на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RV5C040APTCR1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerWFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: DFN1616-8S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): -8V, 0V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |