RV7L020GNTCR1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 2A MIDDLE POWER MOSFET :
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.20 грн |
| 10+ | 37.35 грн |
| 100+ | 24.17 грн |
| 500+ | 17.36 грн |
| 1000+ | 15.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RV7L020GNTCR1 Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 2A MIDDLE POWER MOSFET :, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA, Supplier Device Package: DFN1212-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V.
Інші пропозиції RV7L020GNTCR1 за ціною від 13.10 грн до 68.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RV7L020GNTCR1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch 60V 2A Middle Power MOSFET |
на замовлення 2730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
RV7L020GNTCR1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 60V 2A MIDDLE POWER MOSFET :Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA Supplier Device Package: DFN1212-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |