RV7L020GNTCR1

RV7L020GNTCR1 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RV7L020GN&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 2A MIDDLE POWER MOSFET :
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
на замовлення 1850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.20 грн
10+37.35 грн
100+24.17 грн
500+17.36 грн
1000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RV7L020GNTCR1 Rohm Semiconductor

Description: NCH 60V 2A MIDDLE POWER MOSFET :, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA, Supplier Device Package: DFN1212-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V.

Інші пропозиції RV7L020GNTCR1 за ціною від 13.10 грн до 68.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RV7L020GNTCR1 RV7L020GNTCR1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RV7L020GN&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs Nch 60V 2A Middle Power MOSFET
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+68.94 грн
10+41.88 грн
100+24.84 грн
500+19.56 грн
1000+16.77 грн
3000+14.13 грн
6000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RV7L020GNTCR1 RV7L020GNTCR1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RV7L020GN&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 60V 2A MIDDLE POWER MOSFET :
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.