RV8C010UNHZGG2CR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1010-3W
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RV8C010UNHZGG2CR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RV8C010UNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DFN1010, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RV8C010UNHZGG2CR за ціною від 14.45 грн до 63.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RV8C010UNHZGG2CR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: DFN1010-3W Grade: Automotive Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 11687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RV8C010UNHZGG2CR | ROHM Semiconductor |
MOSFET Superior Mounting Reliability, DFN1010, Nch 20V 1A, Small Signal MOSFET for Automotive. |
на замовлення 7688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
RV8C010UNHZGG2CR | ROHM |
Description: ROHM - RV8C010UNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DFN1010 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
RV8C010UNHZGG2CR | ROHM |
Description: ROHM - RV8C010UNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DFN1010 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| RV8C010UNHZGG2CR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1010-3W
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1010-3W
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.54 грн |
| 10+ | 37.83 грн |
| 100+ | 24.54 грн |
| 500+ | 17.65 грн |
| 1000+ | 15.91 грн |
| 2000+ | 14.45 грн |
| RV8C010UNHZGG2CR |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Superior Mounting Reliability, DFN1010, Nch 20V 1A, Small Signal MOSFET for Automotive.
MOSFET Superior Mounting Reliability, DFN1010, Nch 20V 1A, Small Signal MOSFET for Automotive.
на замовлення 7688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RV8C010UNHZGG2CR |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV8C010UNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RV8C010UNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RV8C010UNHZGG2CR |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV8C010UNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN1010
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RV8C010UNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.47 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN1010
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)