RV8L002SNHZGG2CR ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RV8L002SNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN1010
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
на замовлення 5245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 25.52 грн |
| 500+ | 18.50 грн |
| 1000+ | 12.42 грн |
| 5000+ | 12.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RV8L002SNHZGG2CR ROHM
Description: ROHM - RV8L002SNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DFN1010, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm.
Інші пропозиції RV8L002SNHZGG2CR за ціною від 11.30 грн до 65.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RV8L002SNHZGG2CR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Superior Mounting Reliability, DFN1010, Nch 60V 250mA, Small Signal MOSFET for Automotive. |
на замовлення 6960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RV8L002SNHZGG2CR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RV8L002SNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DFN1010 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm |
на замовлення 5245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RV8L002SNHZGG2CR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: DFN1010-3W Grade: Automotive Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RV8L002SNHZGG2CR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RV8L002SNHZGG2CR SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
RV8L002SNHZGG2CR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: DFN1010-3W Grade: Automotive Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |