RV8L002SNHZGG2CR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1010-3W
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.54 грн |
| 10+ | 37.68 грн |
| 100+ | 24.38 грн |
| 500+ | 17.51 грн |
| 1000+ | 15.78 грн |
| 2000+ | 14.32 грн |
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Технічний опис RV8L002SNHZGG2CR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RV8L002SNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 2.4 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DFN1010, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RV8L002SNHZGG2CR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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RV8L002SNHZGG2CR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Superior Mounting Reliability, DFN1010, Nch 60V 250mA, Small Signal MOSFET for Automotive. |
на замовлення 6960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RV8L002SNHZGG2CR | ROHM |
Description: ROHM - RV8L002SNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 2.4 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DFN1010 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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RV8L002SNHZGG2CR | ROHM |
Description: ROHM - RV8L002SNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 2.4 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DFN1010 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| RV8L002SNHZGG2CR |
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Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Superior Mounting Reliability, DFN1010, Nch 60V 250mA, Small Signal MOSFET for Automotive.
MOSFETs Superior Mounting Reliability, DFN1010, Nch 60V 250mA, Small Signal MOSFET for Automotive.
на замовлення 6960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RV8L002SNHZGG2CR |
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Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV8L002SNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 2.4 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RV8L002SNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 2.4 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
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Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN1010
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RV8L002SNHZGG2CR |
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Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV8L002SNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 2.4 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung Pd: 1W
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Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN1010
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Wandlerpolarität: n-Kanal
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Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RV8L002SNHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 2.4 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
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Wandlerpolarität: n-Kanal
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)