RW1A025APT2CR

RW1A025APT2CR Rohm Semiconductor


datasheet?p=RW1A025AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
на замовлення 2465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.82 грн
13+ 22.18 грн
100+ 12.58 грн
500+ 7.81 грн
1000+ 5.99 грн
2000+ 5.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RW1A025APT2CR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 2.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-WEMT, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V.

Інші пропозиції RW1A025APT2CR за ціною від 5.56 грн до 31.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RW1A025APT2CR RW1A025APT2CR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RW1A025AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 1.5V Drive Pch MOSFET
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+31.26 грн
14+ 23.01 грн
100+ 12.48 грн
500+ 8.89 грн
1000+ 6.85 грн
5000+ 5.63 грн
8000+ 5.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
RW1A025APT2CR RW1A025APT2CR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RW1A025AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
товар відсутній