Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RW1A030APT2CR

RW1A030APT2CR ROHM Semiconductor

Name: RW1A030APT2CR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 142334-4
Price: 342.48 UAH
Availability: InStock

Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Trans MOSFET P-CH 12V 3A

на замовлення 6800 шт:

термін постачання 301-310 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	42.81 грн
10+	34.60 грн
100+	20.48 грн
500+	15.41 грн
1000+	11.52 грн
2500+	10.57 грн
8000+	9.25 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис RW1A030APT2CR ROHM Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 12V 3A 6WEMT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-WEMT, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 6 V.

Інші пропозиції RW1A030APT2CR

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
RW1A030APT2CR			на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
RW1A030AP T2CR	Виробник : ROHM	SOT26/SOT363	на замовлення 7469 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
RW1A030APT2CR	Виробник : Rohm Semiconductor	Description: MOSFET P-CH 12V 3A 6WEMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 6-WEMT Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 6 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
RW1A030APT2CR	Виробник : Rohm Semiconductor	Description: MOSFET P-CH 12V 3A 6WEMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 6-WEMT Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 6 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.