RW1C020UNT2R Rohm Semiconductor
на замовлення 7118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 551+ | 22.45 грн |
| 571+ | 21.64 грн |
| 1000+ | 20.93 грн |
| 2500+ | 19.59 грн |
| 5000+ | 17.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RW1C020UNT2R Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-WEMT, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RW1C020UNT2R
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RW1C020UNT2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMTPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 6-WEMT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
RW1C020UNT2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 6-WEMT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|
 |
RW1C020UNT2R | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET SW MOSFET MID PWR N-CH 20V 2A |
товару немає в наявності |