на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.47 грн |
| 11+ | 31.73 грн |
| 100+ | 18.86 грн |
| 500+ | 14.16 грн |
| 1000+ | 10.64 грн |
| 2500+ | 9.76 грн |
| 8000+ | 8.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RW1C025ZPT2CR ROHM Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-WEMT, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RW1C025ZPT2CR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| RW1C025ZPT2CR |
 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
RW1C025ZPT2CR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 6-WEMT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
RW1C025ZPT2CR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 6-WEMT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |