RW1C026ZPT2CR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.27 грн |
| 11+ | 27.91 грн |
| 100+ | 17.86 грн |
| 500+ | 12.69 грн |
| 1000+ | 11.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RW1C026ZPT2CR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Supplier Device Package: 6-WEMT, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RW1C026ZPT2CR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RW1C026ZPT2CR | ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch -20V -2.5A Middle Power MOSFET |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RW1C026ZPT2CR |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Pch -20V -2.5A Middle Power MOSFET
MOSFET Pch -20V -2.5A Middle Power MOSFET
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)