RW1E014SNT2R Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 17.09 грн |
| 27+ | 11.22 грн |
| 100+ | 7.53 грн |
| 500+ | 5.42 грн |
| 1000+ | 4.86 грн |
| 2000+ | 4.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RW1E014SNT2R Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Supplier Device Package: 6-WEMT, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RW1E014SNT2R
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RW1E014SNT2R | ROHM Semiconductor |
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET Drive Nch |
на замовлення 7938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RW1E014SNT2R |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET Drive Nch
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET Drive Nch
на замовлення 7938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)