Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RW1E015RPT2R

RW1E015RPT2R Rohm Semiconductor

Name: RW1E015RPT2R
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 5042596-3
Price: 334.20000000000005 UAH
Availability: InStock

datasheet?p=RW1E015RP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
12+	27.85 грн
19+	16.48 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис RW1E015RPT2R Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-WEMT, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RW1E015RPT2R

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
RW1E015RPT2R	Виробник : ROHM Semiconductor	MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch	на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
RW1E015RPT2R			на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
RW1E015RP T2R	Виробник : ROHM	SOT-363	на замовлення 27389 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
RW1E015RPT2R	Виробник : Rohm Semiconductor	Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 6-WEMT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.