Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RW4E065GNTCL1
RW4E065GNTCL1

RW4E065GNTCL1 ROHM Semiconductor

datasheet?p=RW4E065GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Nch 30V 6.5A, HEML1616L7, Power MOSFET.
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.03 грн
10+65.92 грн
100+44.62 грн
500+37.80 грн
1000+30.82 грн
3000+28.92 грн
6000+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RW4E065GNTCL1 ROHM Semiconductor

Description: NCH 30V 6.5A, HEML1616L7, POWER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: DFN1616-7T, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RW4E065GNTCL1 за ціною від 33.35 грн до 122.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RW4E065GNTCL1 RW4E065GNTCL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RW4E065GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 30V 6.5A, HEML1616L7, POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 15 V
на замовлення 2437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.26 грн
10+74.23 грн
100+49.52 грн
500+36.54 грн
1000+33.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E065GNTCL1 RW4E065GNTCL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RW4E065GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 30V 6.5A, HEML1616L7, POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.