Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RW4E075AJTCL1
RW4E075AJTCL1

RW4E075AJTCL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RW4E075AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 7.5A POWER MOSFET: RW4E0
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+33.07 грн
6000+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RW4E075AJTCL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RW4E075AJTCL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0185 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: DFN1616, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0185ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0185ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RW4E075AJTCL1 за ціною від 31.75 грн до 80.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RW4E075AJTCL1 RW4E075AJTCL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RW4E075AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 30V 7.5A POWER MOSFET: RW4E0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 11517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.59 грн
10+62.98 грн
100+49.00 грн
500+38.98 грн
1000+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E075AJTCL1 RW4E075AJTCL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RW4E075AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs DFN1616 N CHAN 30V
на замовлення 5495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E075AJTCL1 RW4E075AJTCL1 ROHM rw4e075ajtcl-e.pdf Description: ROHM - RW4E075AJTCL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0185 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: DFN1616
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0185ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E075AJTCL1 RW4E075AJTCL1 ROHM rw4e075ajtcl-e.pdf Description: ROHM - RW4E075AJTCL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0185 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: DFN1616
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0185ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0185ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E075AJTCL1 datasheet?p=RW4E075AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW4E075AJTCL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 7.5A POWER MOSFET: RW4E0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 11517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.59 грн
10+62.98 грн
100+49.00 грн
500+38.98 грн
1000+31.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E075AJTCL1 datasheet?p=RW4E075AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW4E075AJTCL1
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN1616 N CHAN 30V
на замовлення 5495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E075AJTCL1 rw4e075ajtcl-e.pdf
RW4E075AJTCL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RW4E075AJTCL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0185 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: DFN1616
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0185ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E075AJTCL1 rw4e075ajtcl-e.pdf
RW4E075AJTCL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RW4E075AJTCL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0185 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: DFN1616
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0185ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0185ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.