Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RW4E075AJTCL1
RW4E075AJTCL1

RW4E075AJTCL1 Rohm Semiconductor

rw4e075ajtcl-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 7.5A POWER MOSFET: RW4E0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.76 грн
10+ 62.62 грн
100+ 48.73 грн
500+ 38.76 грн
1000+ 31.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RW4E075AJTCL1 Rohm Semiconductor

Description: NCH 30V 7.5A POWER MOSFET: RW4E0, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA, Supplier Device Package: DFN1616-7T, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RW4E075AJTCL1 за ціною від 26.7 грн до 79.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RW4E075AJTCL1 RW4E075AJTCL1 Виробник : ROHM Semiconductor rw4e075ajtcl-e.pdf MOSFET MOSFET
на замовлення 5576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.82 грн
10+ 64.32 грн
100+ 43.58 грн
500+ 36.87 грн
1000+ 33.74 грн
3000+ 28.7 грн
9000+ 26.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
RW4E075AJTCL1 RW4E075AJTCL1 Виробник : Rohm Semiconductor rw4e075ajtcl-e.pdf Description: NCH 30V 7.5A POWER MOSFET: RW4E0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
товар відсутній