RX2G10BBGC7G ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs RX2G10BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter.
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 409.14 грн |
| 10+ | 304.85 грн |
| 100+ | 176.73 грн |
| 500+ | 153.26 грн |
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Технічний опис RX2G10BBGC7G ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RX2G10BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 105 A, 1470 µohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 100W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm.
Інші пропозиції RX2G10BBGC7G за ціною від 322.16 грн до 457.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
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RX2G10BBGC7G | ROHM |
 Description: ROHM - RX2G10BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 105 A, 1470 µohm, TO-220FM, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| RX2G10BBGC7G |
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Виробник: ROHM
Description: ROHM - RX2G10BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 105 A, 1470 µohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 105A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm
Description: ROHM - RX2G10BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 105 A, 1470 µohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
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| 2+ | 457.47 грн |
| 10+ | 322.16 грн |