RX2L07BBGC7G ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 60V 80A, TO-220FP, Power MOSFET
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 234.37 грн |
| 10+ | 150.05 грн |
| 100+ | 88.36 грн |
| 500+ | 73.87 грн |
| 1000+ | 68.27 грн |
| 3000+ | 66.13 грн |
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Технічний опис RX2L07BBGC7G ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RX2L07BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 4600 µohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції RX2L07BBGC7G за ціною від 88.25 грн до 259.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
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RX2L07BBGC7G | ROHM |
 Description: ROHM - RX2L07BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 4600 µohm, TO-220FM, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| RX2L07BBGC7G |
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Виробник: ROHM
Description: ROHM - RX2L07BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 4600 µohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RX2L07BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 4600 µohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 259.34 грн |
| 10+ | 140.94 грн |
| 100+ | 114.37 грн |
| 500+ | 88.25 грн |