Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RX2L07BBGC7G
RX2L07BBGC7G

RX2L07BBGC7G Rohm Semiconductor

rx2l07bbgc7g-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 80A, TO-220FP, POWER MOS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+251.57 грн
30+131.48 грн
60+118.20 грн
120+100.43 грн
510+83.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RX2L07BBGC7G Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RX2L07BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 4600 µohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 52W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm.

Інші пропозиції RX2L07BBGC7G за ціною від 81.02 грн до 273.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RX2L07BBGC7G RX2L07BBGC7G ROHM Semiconductor rx2l07bbgc7g-e.pdf MOSFETs Transistor, Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 60V 80A, TO-220FP, Power MOSFET
на замовлення 777 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+273.86 грн
10+131.49 грн
100+104.50 грн
500+86.32 грн
1000+85.57 грн
2000+84.05 грн
5000+81.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX2L07BBGC7G RX2L07BBGC7G ROHM rx2l07bbgc7g-e.pdf Description: ROHM - RX2L07BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 4600 µohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX2L07BBGC7G rx2l07bbgc7g-e.pdf
RX2L07BBGC7G
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 60V 80A, TO-220FP, Power MOSFET
на замовлення 777 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+273.86 грн
10+131.49 грн
100+104.50 грн
500+86.32 грн
1000+85.57 грн
2000+84.05 грн
5000+81.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX2L07BBGC7G rx2l07bbgc7g-e.pdf
RX2L07BBGC7G
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RX2L07BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 4600 µohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.