Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RX2L10BBGC7G
RX2L10BBGC7G

RX2L10BBGC7G ROHM Semiconductor

rx2l10bbgc7g-e.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs RX2L10BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter.
на замовлення 990 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+416.43 грн
10+328.73 грн
100+190.57 грн
500+164.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RX2L10BBGC7G ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RX2L10BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 1840 µohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 100W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1840µohm.

Інші пропозиції RX2L10BBGC7G за ціною від 168.37 грн до 459.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RX2L10BBGC7G RX2L10BBGC7G Rohm Semiconductor rx2l10bbgc7g-e.pdf Description: NCH 60V 180A, TO-220FP, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.84mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.18 грн
30+251.95 грн
60+229.21 грн
120+197.15 грн
510+168.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX2L10BBGC7G RX2L10BBGC7G ROHM rx2l10bbgc7g-e.pdf Description: ROHM - RX2L10BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 1840 µohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1840µohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX2L10BBGC7G Rohm Semiconductor rx2l10bbgc7g-e.pdf RX2L10BBGC7G
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+384.50 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX2L10BBGC7G rx2l10bbgc7g-e.pdf
RX2L10BBGC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 180A, TO-220FP, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.84mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+459.18 грн
30+251.95 грн
60+229.21 грн
120+197.15 грн
510+168.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX2L10BBGC7G rx2l10bbgc7g-e.pdf
RX2L10BBGC7G
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RX2L10BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 1840 µohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1840µohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX2L10BBGC7G rx2l10bbgc7g-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
RX2L10BBGC7G
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+384.50 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.