RX2L10BBGC7G ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM SemiconductorMOSFETs RX2L10BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter.
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 455.83 грн |
| 10+ | 359.83 грн |
| 100+ | 208.59 грн |
| 500+ | 180.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RX2L10BBGC7G ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RX2L10BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 1840 µohm, TO-220FM, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220FM, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1840µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції RX2L10BBGC7G за ціною від 172.19 грн до 486.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RX2L10BBGC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 60V 180A, TO-220FP, POWER MO Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.84mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RX2L10BBGC7G | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RX2L10BBGC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 1840 µohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1840µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| RX2L10BBGC7G | Виробник : Rohm Semiconductor |
RX2L10BBGC7G |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|