RX3G07BBGC16 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 76+ | 187.98 грн |
| 79+ | 180.81 грн |
| 100+ | 174.68 грн |
| 250+ | 163.34 грн |
| 500+ | 147.12 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
76 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RX3G07BBGC16 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RX3G07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 89W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm.
Інші пропозиції RX3G07BBGC16 за ціною від 114.09 грн до 363.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RX3G07BBGC16 | Rohm Semiconductor |
 Description: NCH 40V 70A, TO-220AB, POWER MOPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RX3G07BBGC16 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive) |
на замовлення 636 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RX3G07BBGC16 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
на замовлення 989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RX3G07BBGC16 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
на замовлення 989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RX3G07BBGC16 | ROHM |
Description: ROHM - RX3G07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 89W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm |
на замовлення 929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RX3G07BBGC16 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
Description: NCH 40V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 256.85 грн |
| 50+ | 195.82 грн |
| 100+ | 167.85 грн |
| 500+ | 140.02 грн |
| RX3G07BBGC16 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 636 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 348.96 грн |
| 10+ | 177.46 грн |
| 100+ | 140.41 грн |
| 500+ | 122.86 грн |
| 1000+ | 114.82 грн |
| 2000+ | 114.09 грн |
| RX3G07BBGC16 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 358.72 грн |
| RX3G07BBGC16 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 363.52 грн |
| RX3G07BBGC16 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RX3G07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 89W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
Description: ROHM - RX3G07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 89W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)