Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RX3G07BBGC16
RX3G07BBGC16

RX3G07BBGC16 Rohm Semiconductor

rx3g07bbgc16-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
61+232.92 грн
64+224.04 грн
100+216.44 грн
250+202.38 грн
500+182.29 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RX3G07BBGC16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RX3G07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RX3G07BBGC16 за ціною від 140.67 грн до 459.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RX3G07BBGC16 RX3G07BBGC16 Rohm Semiconductor rx3g07bbgc16-e.pdf Description: NCH 40V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.04 грн
50+196.73 грн
100+168.63 грн
500+140.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G07BBGC16 RX3G07BBGC16 Rohm Semiconductor rx3g07bbgc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+459.66 грн
36+393.66 грн
52+272.26 грн
100+238.67 грн
500+174.69 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G07BBGC16 RX3G07BBGC16 ROHM Semiconductor rx3g07bbgc16-e.pdf MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G07BBGC16 RX3G07BBGC16 ROHM rx3g07bbgc16-e.pdf Description: ROHM - RX3G07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G07BBGC16 rx3g07bbgc16-e.pdf
RX3G07BBGC16
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+258.04 грн
50+196.73 грн
100+168.63 грн
500+140.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G07BBGC16 rx3g07bbgc16-e.pdf
RX3G07BBGC16
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+459.66 грн
36+393.66 грн
52+272.26 грн
100+238.67 грн
500+174.69 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G07BBGC16 rx3g07bbgc16-e.pdf
RX3G07BBGC16
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G07BBGC16 rx3g07bbgc16-e.pdf
RX3G07BBGC16
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RX3G07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.