RX3G07BBGC16 Rohm Semiconductor
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 61+ | 204.32 грн |
| 64+ | 196.53 грн |
| 100+ | 189.87 грн |
| 250+ | 177.53 грн |
| 500+ | 159.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RX3G07BBGC16 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RX3G07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції RX3G07BBGC16 за ціною від 127.79 грн до 403.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RX3G07BBGC16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: NCH 40V 70A, TO-220AB, POWER MOPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RX3G07BBGC16 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RX3G07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RX3G07BBGC16 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs RX3G07BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power small mold package, suitable for switching. |
на замовлення 679 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RX3G07BBGC16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
на замовлення 989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|