
RX3G18BBGC16 Rohm Semiconductor
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 502.19 грн |
27+ | 455.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RX3G18BBGC16 Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.47mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 20 V.
Інші пропозиції RX3G18BBGC16 за ціною від 281.77 грн до 716.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RX3G18BBGC16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.47mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 20 V |
на замовлення 937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RX3G18BBGC16 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RX3G18BBGC16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|