Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RX3G18BBGC16
RX3G18BBGC16

RX3G18BBGC16 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RX3G18BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.47mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 20 V
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+554.06 грн
50+382.07 грн
100+366.03 грн
500+304.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RX3G18BBGC16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RX3G18BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 270 A, 1470 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 270A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 192W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm.

Інші пропозиції RX3G18BBGC16 за ціною від 476.21 грн до 830.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RX3G18BBGC16 RX3G18BBGC16 Rohm Semiconductor rx3g18bbgc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+582.15 грн
27+527.63 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BBGC16 RX3G18BBGC16 Rohm Semiconductor rx3g18bbgc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+830.93 грн
20+711.89 грн
50+537.45 грн
100+476.21 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BBGC16 RX3G18BBGC16 ROHM Semiconductor datasheet?p=RX3G18BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BBGC16 RX3G18BBGC16 ROHM rx3g18bbgc16-e.pdf Description: ROHM - RX3G18BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 270 A, 1470 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 192W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BBGC16 rx3g18bbgc16-e.pdf
RX3G18BBGC16
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+582.15 грн
27+527.63 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BBGC16 rx3g18bbgc16-e.pdf
RX3G18BBGC16
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+830.93 грн
20+711.89 грн
50+537.45 грн
100+476.21 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BBGC16 datasheet?p=RX3G18BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RX3G18BBGC16
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BBGC16 rx3g18bbgc16-e.pdf
RX3G18BBGC16
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RX3G18BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 270 A, 1470 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 192W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.