Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RX3G18BGNC16
RX3G18BGNC16

RX3G18BGNC16 Rohm Semiconductor

rx3g18bgnc16-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+302.16 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RX3G18BGNC16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RX3G18BGNC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1640 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1640µohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RX3G18BGNC16 за ціною від 132.79 грн до 377.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RX3G18BGNC16 RX3G18BGNC16 Rohm Semiconductor datasheet?p=RX3G18BGN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.64mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.84 грн
50+190.63 грн
100+183.88 грн
500+132.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BGNC16 RX3G18BGNC16 Rohm Semiconductor rx3g18bgnc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+377.16 грн
42+339.44 грн
64+222.76 грн
100+196.62 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BGNC16 RX3G18BGNC16 ROHM Semiconductor datasheet?p=RX3G18BGN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BGNC16 RX3G18BGNC16 ROHM datasheet?p=RX3G18BGN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RX3G18BGNC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1640 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1640µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BGNC16 datasheet?p=RX3G18BGN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RX3G18BGNC16
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.64mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+313.84 грн
50+190.63 грн
100+183.88 грн
500+132.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BGNC16 rx3g18bgnc16-e.pdf
RX3G18BGNC16
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+377.16 грн
42+339.44 грн
64+222.76 грн
100+196.62 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BGNC16 datasheet?p=RX3G18BGN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RX3G18BGNC16
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BGNC16 datasheet?p=RX3G18BGN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RX3G18BGNC16
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RX3G18BGNC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1640 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1640µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.