RX3G18BGNC16 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 47+ | 298.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RX3G18BGNC16 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RX3G18BGNC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1640 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1640µohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RX3G18BGNC16 за ціною від 134.06 грн до 372.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RX3G18BGNC16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MOPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.64mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V |
на замовлення 2896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RX3G18BGNC16 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive) |
на замовлення 854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RX3G18BGNC16 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RX3G18BGNC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1640 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1640µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RX3G18BGNC16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|