RX3G18BGNC16 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.64mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 314.54 грн |
| 50+ | 191.05 грн |
| 100+ | 184.29 грн |
| 500+ | 133.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RX3G18BGNC16 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RX3G18BGNC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1640 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1640µohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RX3G18BGNC16 за ціною від 199.74 грн до 335.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RX3G18BGNC16 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive) |
на замовлення 854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
|
RX3G18BGNC16 | ROHM |
Description: ROHM - RX3G18BGNC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1640 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1640µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| RX3G18BGNC16 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 322.96 грн |
| 10+ | 210.38 грн |
| RX3G18BGNC16 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RX3G18BGNC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1640 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1640µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RX3G18BGNC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1640 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1640µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 335.05 грн |
| 10+ | 199.74 грн |



