Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RX3L07BBGC16
RX3L07BBGC16

RX3L07BBGC16 Rohm Semiconductor

rx3l07bbgc16-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+188.83 грн
79+181.64 грн
100+175.48 грн
250+164.08 грн
500+147.80 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 76 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RX3L07BBGC16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RX3L07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 4600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 89W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm.

Інші пропозиції RX3L07BBGC16 за ціною від 114.82 грн до 360.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RX3L07BBGC16 RX3L07BBGC16 Rohm Semiconductor datasheet?p=RX3L07BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.62 грн
50+196.55 грн
100+168.48 грн
500+140.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16 RX3L07BBGC16 ROHM Semiconductor datasheet?p=RX3L07BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+350.67 грн
10+178.30 грн
100+141.15 грн
500+123.59 грн
1000+118.47 грн
2000+114.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16 RX3L07BBGC16 Rohm Semiconductor rx3l07bbgc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+360.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16 RX3L07BBGC16 ROHM rx3l07bbgc16-e.pdf Description: ROHM - RX3L07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 4600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 89W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16 RX3L07BBGC16 Rohm Semiconductor rx3l07bbgc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16 datasheet?p=RX3L07BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RX3L07BBGC16
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+257.62 грн
50+196.55 грн
100+168.48 грн
500+140.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16 datasheet?p=RX3L07BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RX3L07BBGC16
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+350.67 грн
10+178.30 грн
100+141.15 грн
500+123.59 грн
1000+118.47 грн
2000+114.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16 rx3l07bbgc16-e.pdf
RX3L07BBGC16
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+360.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16 rx3l07bbgc16-e.pdf
RX3L07BBGC16
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RX3L07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 4600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 89W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16 rx3l07bbgc16-e.pdf
RX3L07BBGC16
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.