RX3L07BBGC16

RX3L07BBGC16 Rohm Semiconductor


rx3l07bbgc16-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
82+149.20 грн
85+143.52 грн
100+138.64 грн
250+129.64 грн
500+116.77 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RX3L07BBGC16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RX3L07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції RX3L07BBGC16 за ціною від 121.10 грн до 396.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RX3L07BBGC16 RX3L07BBGC16 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RX3L07BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.16 грн
50+202.30 грн
100+173.41 грн
500+144.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16 RX3L07BBGC16 Виробник : ROHM rx3l07bbgc16-e.pdf Description: ROHM - RX3L07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+307.09 грн
10+217.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16 RX3L07BBGC16 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RX3L07BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs RX3L07BBG is a power MOSFET with low on-resistance and High power package, suitable for switching.
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+353.62 грн
10+322.41 грн
25+168.80 грн
100+153.39 грн
500+126.97 грн
1000+126.23 грн
2000+121.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16 RX3L07BBGC16 Виробник : Rohm Semiconductor rx3l07bbgc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+396.59 грн
36+339.79 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.