RX3L07BBGC16 ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM SemiconductorMOSFET RX3L07BBG is a power MOSFET with low on-resistance and High power package, suitable for switching.
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 259.37 грн |
| 10+ | 214.97 грн |
| 25+ | 176.25 грн |
| 100+ | 151.55 грн |
| 250+ | 142.87 грн |
| 500+ | 134.86 грн |
| 1000+ | 114.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RX3L07BBGC16 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RX3L07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції RX3L07BBGC16 за ціною від 190.52 грн до 279.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RX3L07BBGC16 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RX3L07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| RX3L07BBGC16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 60V 105A, TO-220AB, POWER MO Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Ta), 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|