Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RX3L07BBGC16
RX3L07BBGC16

RX3L07BBGC16 Rohm Semiconductor

rx3l07bbgc16-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
82+173.37 грн
85+166.77 грн
100+161.10 грн
250+150.64 грн
500+135.69 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RX3L07BBGC16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RX3L07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 4600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RX3L07BBGC16 за ціною від 141.20 грн до 460.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RX3L07BBGC16 RX3L07BBGC16 Rohm Semiconductor datasheet?p=RX3L07BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.82 грн
50+197.46 грн
100+169.26 грн
500+141.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16 RX3L07BBGC16 Rohm Semiconductor rx3l07bbgc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+460.84 грн
36+394.84 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16 RX3L07BBGC16 ROHM Semiconductor datasheet?p=RX3L07BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16 RX3L07BBGC16 ROHM rx3l07bbgc16-e.pdf Description: ROHM - RX3L07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 4600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16 datasheet?p=RX3L07BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RX3L07BBGC16
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+258.82 грн
50+197.46 грн
100+169.26 грн
500+141.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16 rx3l07bbgc16-e.pdf
RX3L07BBGC16
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+460.84 грн
36+394.84 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16 datasheet?p=RX3L07BBG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RX3L07BBGC16
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16 rx3l07bbgc16-e.pdf
RX3L07BBGC16
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RX3L07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 4600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.