RX3L07BGNC16 Rohm Semiconductor
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 95+ | 129.03 грн |
| 99+ | 124.11 грн |
| 102+ | 119.91 грн |
| 250+ | 112.12 грн |
| 500+ | 100.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RX3L07BGNC16 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RX3L07BGNC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0052 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RX3L07BGNC16 за ціною від 86.78 грн до 245.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RX3L07BGNC16 | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - RX3L07BGNC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0052 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RX3L07BGNC16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MOS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 30 V |
на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RX3L07BGNC16 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive) |
на замовлення 549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|