RX3L18BBGC16 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 180A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.84mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 562.63 грн |
| 50+ | 432.70 грн |
| 100+ | 387.15 грн |
| 500+ | 320.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RX3L18BBGC16 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RX3L18BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 0.00141 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00141ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції RX3L18BBGC16 за ціною від 290.64 грн до 691.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RX3L18BBGC16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RX3L18BBGC16 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs RX3L18BBG is a power MOSFET with low on-resistance and High power package, suitable for switching. |
на замовлення 1999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RX3L18BBGC16 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RX3L18BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 0.00141 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00141ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RX3L18BBGC16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|