RX3N10BBHC16 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: NCH 80V 225A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 40 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 499.76 грн |
| 50+ | 258.36 грн |
| 100+ | 236.89 грн |
| 500+ | 187.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RX3N10BBHC16 Rohm Semiconductor
Description: NCH 80V 225A, TO-220AB, POWER MO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Ta), 105A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 189W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 40 V.
Інші пропозиції RX3N10BBHC16 за ціною від 243.83 грн до 546.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RX3N10BBHC16 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TO220 N-CH 80V 225A |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|