Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RX3N10BBHC16
RX3N10BBHC16

RX3N10BBHC16 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RX3N10BBH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 80V 225A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 40 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+469.59 грн
50+242.82 грн
100+222.64 грн
500+175.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RX3N10BBHC16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RX3N10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 225 A, 2200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 225A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 189W, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm.

Інші пропозиції RX3N10BBHC16

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RX3N10BBHC16 RX3N10BBHC16 ROHM Semiconductor datasheet?p=RX3N10BBH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key MOSFETs TO220 N-CH 80V 225A
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3N10BBHC16 RX3N10BBHC16 ROHM 4461472.pdf Description: ROHM - RX3N10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 225 A, 2200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 189W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3N10BBHC16 datasheet?p=RX3N10BBH&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RX3N10BBHC16
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO220 N-CH 80V 225A
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3N10BBHC16 4461472.pdf
RX3N10BBHC16
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RX3N10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 225 A, 2200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 189W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.