RX3P07BBHC16 Rohm Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 245.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RX3P07BBHC16 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RX3P07BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції RX3P07BBHC16 за ціною від 124.33 грн до 469.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RX3P07BBHC16 | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - RX3P07BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RX3P07BBHC16 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs RX3P07BBH is a power MOSFET with low on-resistance and high power small mold package, suitable for switching. |
на замовлення 1876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
RX3P07BBHC16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 100V 70A, TO-220AB, POWER MO Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V |
на замовлення 968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RX3P07BBHC16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|