RX3P07BBHC16 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 300.71 грн |
| 10+ | 191.31 грн |
| 100+ | 135.64 грн |
| 500+ | 104.99 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RX3P07BBHC16 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RX3P07BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції RX3P07BBHC16 за ціною від 119.47 грн до 378.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RX3P07BBHC16 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RX3P07BBHC16 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive) |
на замовлення 1721 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RX3P07BBHC16 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RX3P07BBHC16 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RX3P07BBHC16 | ROHM |
Description: ROHM - RX3P07BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
RX3P07BBHC16 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. |
| RX3P07BBHC16 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 47+ | 306.72 грн |
| RX3P07BBHC16 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 362.56 грн |
| 10+ | 184.59 грн |
| 100+ | 145.86 грн |
| 500+ | 120.20 грн |
| 1000+ | 119.47 грн |
| RX3P07BBHC16 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 373.20 грн |
| RX3P07BBHC16 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 38+ | 378.20 грн |
| RX3P07BBHC16 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RX3P07BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - RX3P07BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RX3P07BBHC16 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




