Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RX3P07CBHC16
RX3P07CBHC16

RX3P07CBHC16 Rohm Semiconductor

rx3p07cbhc16-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
145+98.41 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 145 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RX3P07CBHC16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RX3P07CBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 135W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm.

Інші пропозиції RX3P07CBHC16 за ціною від 145.25 грн до 479.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RX3P07CBHC16 RX3P07CBHC16 Rohm Semiconductor rx3p07cbhc16-e.pdf Description: NCH 100V 70A, TO-220AB, POWER M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 50 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.00 грн
10+256.77 грн
100+185.26 грн
500+145.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16 RX3P07CBHC16 Rohm Semiconductor rx3p07cbhc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+426.97 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16 RX3P07CBHC16 Rohm Semiconductor rx3p07cbhc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+471.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16 RX3P07CBHC16 Rohm Semiconductor rx3p07cbhc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+477.95 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16 RX3P07CBHC16 ROHM Semiconductor rx3p07cbhc16-e.pdf MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+479.51 грн
10+250.63 грн
100+199.65 грн
500+186.49 грн
1000+174.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16 RX3P07CBHC16 ROHM rx3p07cbhc16-e.pdf Description: ROHM - RX3P07CBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 135W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16 rx3p07cbhc16-e.pdf
RX3P07CBHC16
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 70A, TO-220AB, POWER M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 50 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+398.00 грн
10+256.77 грн
100+185.26 грн
500+145.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16 rx3p07cbhc16-e.pdf
RX3P07CBHC16
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+426.97 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16 rx3p07cbhc16-e.pdf
RX3P07CBHC16
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+471.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16 rx3p07cbhc16-e.pdf
RX3P07CBHC16
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+477.95 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16 rx3p07cbhc16-e.pdf
RX3P07CBHC16
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+479.51 грн
10+250.63 грн
100+199.65 грн
500+186.49 грн
1000+174.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16 rx3p07cbhc16-e.pdf
RX3P07CBHC16
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RX3P07CBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 135W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.