Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RX3P07CBHC16
RX3P07CBHC16

RX3P07CBHC16 Rohm Semiconductor

rx3p07cbhc16-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 70A, TO-220AB, POWER M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 50 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+399.85 грн
10+257.96 грн
100+186.13 грн
500+145.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RX3P07CBHC16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RX3P07CBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 135W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RX3P07CBHC16 за ціною від 335.91 грн до 617.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RX3P07CBHC16 RX3P07CBHC16 Rohm Semiconductor rx3p07cbhc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+413.97 грн
50+385.33 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16 RX3P07CBHC16 Rohm Semiconductor rx3p07cbhc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+617.60 грн
34+416.05 грн
50+335.91 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16 RX3P07CBHC16 ROHM Semiconductor rx3p07cbhc16-e.pdf MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16 RX3P07CBHC16 ROHM rx3p07cbhc16-e.pdf Description: ROHM - RX3P07CBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16 rx3p07cbhc16-e.pdf
RX3P07CBHC16
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+413.97 грн
50+385.33 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16 rx3p07cbhc16-e.pdf
RX3P07CBHC16
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+617.60 грн
34+416.05 грн
50+335.91 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16 rx3p07cbhc16-e.pdf
RX3P07CBHC16
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16 rx3p07cbhc16-e.pdf
RX3P07CBHC16
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RX3P07CBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.