RX3P10BBHC16 Rohm Semiconductor
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 417.77 грн |
| 45+ | 277.83 грн |
| 53+ | 236.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RX3P10BBHC16 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RX3P10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 189W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції RX3P10BBHC16 за ціною від 276.39 грн до 542.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RX3P10BBHC16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: NCH 100V 100A, TO-220AB, POWER MPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 189W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 50 V |
на замовлення 491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RX3P10BBHC16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RX3P10BBHC16 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RX3P10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 189W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RX3P10BBHC16 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 105A(Id), (6.0V, 10V Drive) |
на замовлення 1939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|