Продукція > ROHM > RX3P10BBHC16
RX3P10BBHC16

RX3P10BBHC16 ROHM

rx3p10bbhc16-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RX3P10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.0025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+332.61 грн
10+298.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RX3P10BBHC16 ROHM

Description: ROHM - RX3P10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.0025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 189W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RX3P10BBHC16 за ціною від 135.41 грн до 508.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RX3P10BBHC16 RX3P10BBHC16 Виробник : ROHM Semiconductor rx3p10bbhc16-e.pdf MOSFETs RX3P10BBH is a power MOSFET with low on-resistance and high power small mold package, suitable for switching.
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+336.50 грн
10+322.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P10BBHC16 RX3P10BBHC16 Виробник : Rohm Semiconductor rx3p10bbhc16-e.pdf Description: NCH 100V 100A, TO-220AB, POWER M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 50 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+379.48 грн
10+243.34 грн
100+173.96 грн
500+135.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P10BBHC16 RX3P10BBHC16 Виробник : Rohm Semiconductor rx3p10bbhc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+411.81 грн
45+273.86 грн
53+233.29 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P10BBHC16 RX3P10BBHC16 Виробник : Rohm Semiconductor rx3p10bbhc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+508.94 грн
50+478.72 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.