RX3P12BATC16 Rohm Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 507.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RX3P12BATC16 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RX3P12BATC16 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0094 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 201W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції RX3P12BATC16 за ціною від 229.35 грн до 703.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RX3P12BATC16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: PCH -100V -120A POWER MOSFET: RXPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 201W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 385 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16600 pF @ 50 V |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RX3P12BATC16 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -120A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) |
на замовлення 772 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RX3P12BATC16 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RX3P12BATC16 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0094 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 201W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RX3P12BATC16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|