Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RX3R05BBHC16
RX3R05BBHC16

RX3R05BBHC16 Rohm Semiconductor

rx3r05bbhc16-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
48+297.54 грн
250+263.35 грн
500+177.03 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RX3R05BBHC16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RX3R05BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.029 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RX3R05BBHC16 за ціною від 145.88 грн до 432.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RX3R05BBHC16 RX3R05BBHC16 Rohm Semiconductor datasheet?p=RX3R05BBH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 150V 50A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 75 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.81 грн
10+204.98 грн
100+145.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R05BBHC16 RX3R05BBHC16 Rohm Semiconductor rx3r05bbhc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+432.56 грн
39+363.02 грн
84+169.72 грн
100+152.30 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R05BBHC16 RX3R05BBHC16 ROHM Semiconductor datasheet?p=RX3R05BBH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 150V(Vdss), 50A(Id), (6.0V, 10V Drive)
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R05BBHC16 RX3R05BBHC16 ROHM datasheet?p=RX3R05BBH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RX3R05BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.029 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R05BBHC16 datasheet?p=RX3R05BBH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RX3R05BBHC16
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 150V 50A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 75 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+320.81 грн
10+204.98 грн
100+145.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R05BBHC16 rx3r05bbhc16-e.pdf
RX3R05BBHC16
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+432.56 грн
39+363.02 грн
84+169.72 грн
100+152.30 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R05BBHC16 datasheet?p=RX3R05BBH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RX3R05BBHC16
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 150V(Vdss), 50A(Id), (6.0V, 10V Drive)
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R05BBHC16 datasheet?p=RX3R05BBH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RX3R05BBHC16
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RX3R05BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.029 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.