RX3R10BBHC16 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RX3R10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 8800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 501.94 грн |
| 5+ | 456.14 грн |
| 10+ | 410.35 грн |
| 50+ | 373.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RX3R10BBHC16 ROHM
Description: ROHM - RX3R10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 8800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 181W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції RX3R10BBHC16 за ціною від 287.69 грн до 760.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RX3R10BBHC16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 150V 105A, TO-220AB, POWER M Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 181W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7550 pF @ 75 V |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RX3R10BBHC16 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 150V(Vdss), 105A(Id), (6.0V, 10V Drive) |
на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RX3R10BBHC16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RX3R10BBHC16 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|