Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RX3R10BBHC16
RX3R10BBHC16

RX3R10BBHC16 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RX3R10BBH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 150V 105A, TO-220AB, POWER M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7550 pF @ 75 V
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+571.88 грн
10+376.16 грн
100+277.51 грн
500+227.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RX3R10BBHC16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RX3R10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 8800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 181W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RX3R10BBHC16 за ціною від 427.34 грн до 848.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RX3R10BBHC16 RX3R10BBHC16 Rohm Semiconductor rx3r10bbhc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+723.52 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16 RX3R10BBHC16 Rohm Semiconductor rx3r10bbhc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+848.61 грн
25+582.24 грн
50+463.20 грн
100+427.34 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16 RX3R10BBHC16 ROHM Semiconductor datasheet?p=RX3R10BBH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 150V(Vdss), 105A(Id), (6.0V, 10V Drive)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16 RX3R10BBHC16 ROHM rx3r10bbhc16-e.pdf Description: ROHM - RX3R10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 8800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16 rx3r10bbhc16-e.pdf
RX3R10BBHC16
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+723.52 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16 rx3r10bbhc16-e.pdf
RX3R10BBHC16
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+848.61 грн
25+582.24 грн
50+463.20 грн
100+427.34 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16 datasheet?p=RX3R10BBH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RX3R10BBHC16
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 150V(Vdss), 105A(Id), (6.0V, 10V Drive)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16 rx3r10bbhc16-e.pdf
RX3R10BBHC16
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RX3R10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 8800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.