RX3R10BBHC16 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 467.27 грн |
| 32+ | 447.20 грн |
| 50+ | 430.16 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
31 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RX3R10BBHC16 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RX3R10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 8800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 181W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm.
Інші пропозиції RX3R10BBHC16 за ціною від 226.78 грн до 813.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RX3R10BBHC16 | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 150V 105A, TO-220AB, POWER MPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 181W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7550 pF @ 75 V |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RX3R10BBHC16 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 150V(Vdss), 105A(Id), (6.0V, 10V Drive) |
на замовлення 943 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RX3R10BBHC16 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RX3R10BBHC16 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RX3R10BBHC16 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RX3R10BBHC16 | ROHM |
Description: ROHM - RX3R10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 8800 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 181W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RX3R10BBHC16 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 150V 105A, TO-220AB, POWER M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7550 pF @ 75 V
Description: NCH 150V 105A, TO-220AB, POWER M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7550 pF @ 75 V
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 569.23 грн |
| 10+ | 374.42 грн |
| 100+ | 276.23 грн |
| 500+ | 226.78 грн |
| RX3R10BBHC16 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 150V(Vdss), 105A(Id), (6.0V, 10V Drive)
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 150V(Vdss), 105A(Id), (6.0V, 10V Drive)
на замовлення 943 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 685.98 грн |
| 10+ | 370.89 грн |
| 100+ | 299.11 грн |
| 500+ | 296.92 грн |
| 1000+ | 280.83 грн |
| RX3R10BBHC16 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 701.95 грн |
| RX3R10BBHC16 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 711.35 грн |
| RX3R10BBHC16 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 813.01 грн |
| RX3R10BBHC16 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RX3R10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 8800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 181W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
Description: ROHM - RX3R10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 8800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 181W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





