Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RX3R10BBHC16
RX3R10BBHC16

RX3R10BBHC16 Rohm Semiconductor

rx3r10bbhc16-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+464.17 грн
32+444.23 грн
50+427.30 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 31 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RX3R10BBHC16 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RX3R10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 8800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 181W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm.

Інші пропозиції RX3R10BBHC16 за ціною від 230.46 грн до 807.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RX3R10BBHC16 RX3R10BBHC16 Rohm Semiconductor datasheet?p=RX3R10BBH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 150V 105A, TO-220AB, POWER M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7550 pF @ 75 V
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+578.46 грн
10+380.49 грн
100+280.70 грн
500+230.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16 RX3R10BBHC16 Rohm Semiconductor rx3r10bbhc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+697.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16 RX3R10BBHC16 Rohm Semiconductor rx3r10bbhc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+706.63 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16 RX3R10BBHC16 Rohm Semiconductor rx3r10bbhc16-e.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+807.61 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16 RX3R10BBHC16 ROHM Semiconductor datasheet?p=RX3R10BBH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 150V(Vdss), 105A(Id), (6.0V, 10V Drive)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16 RX3R10BBHC16 ROHM rx3r10bbhc16-e.pdf Description: ROHM - RX3R10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 8800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 181W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16 datasheet?p=RX3R10BBH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RX3R10BBHC16
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 150V 105A, TO-220AB, POWER M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7550 pF @ 75 V
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+578.46 грн
10+380.49 грн
100+280.70 грн
500+230.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16 rx3r10bbhc16-e.pdf
RX3R10BBHC16
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+697.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16 rx3r10bbhc16-e.pdf
RX3R10BBHC16
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+706.63 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16 rx3r10bbhc16-e.pdf
RX3R10BBHC16
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+807.61 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16 datasheet?p=RX3R10BBH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RX3R10BBHC16
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 150V(Vdss), 105A(Id), (6.0V, 10V Drive)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16 rx3r10bbhc16-e.pdf
RX3R10BBHC16
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RX3R10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 8800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 181W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.