Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RXH090N03TB1
RXH090N03TB1

RXH090N03TB1 ROHM Semiconductor

datasheet?p=RXH090N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs SOP8 N-CH 30V 9A
на замовлення 4848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+123.27 грн
10+85.51 грн
100+55.63 грн
500+44.02 грн
1000+40.82 грн
2500+36.34 грн
5000+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RXH090N03TB1 ROHM Semiconductor

Description: 4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RXH090N03TB1 за ціною від 39.34 грн до 138.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RXH090N03TB1 RXH090N03TB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RXH090N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.54 грн
10+84.96 грн
100+57.19 грн
500+42.51 грн
1000+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RXH090N03TB1 RXH090N03TB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RXH090N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RXH090N03TB1 RXH090N03TB1 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RXH090N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 36A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 6.8nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.