Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RXH100N03TB1
RXH100N03TB1

RXH100N03TB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RXH100N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.81 грн
10+79.59 грн
100+53.77 грн
500+40.08 грн
1000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RXH100N03TB1 Rohm Semiconductor

Description: 4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RXH100N03TB1 за ціною від 35.23 грн до 137.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RXH100N03TB1 RXH100N03TB1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RXH100N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs SOP8 N-CH 30V 10A
на замовлення 3839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.01 грн
10+86.37 грн
100+50.52 грн
500+40.15 грн
1000+36.80 грн
2500+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RXH100N03TB1 RXH100N03TB1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RXH100N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.