Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > RYC002N05T316 Транзистор

RYC002N05T316 Транзистор

Код товару: 222493
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції RYC002N05T316 Транзистор за ціною від 4.59 грн до 29.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RYC002N05T316 RYC002N05T316 Rohm Semiconductor datasheet?p=RYC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.33 грн
6000+5.52 грн
9000+5.22 грн
15000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 RYC002N05T316 Rohm Semiconductor ryc002n05t316-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1439+9.86 грн
1487+9.54 грн
2500+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 1439 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 RYC002N05T316 Rohm Semiconductor ryc002n05t316-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1418+10.00 грн
1467+9.67 грн
2500+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 1418 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 RYC002N05T316 Rohm Semiconductor ryc002n05t316-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+19.82 грн
100+13.49 грн
500+10.35 грн
1000+8.83 грн
3000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 RYC002N05T316 Rohm Semiconductor ryc002n05t316-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
716+19.82 грн
1052+13.49 грн
1370+10.35 грн
1548+8.83 грн
3000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 716 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 RYC002N05T316 Rohm Semiconductor datasheet?p=RYC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: SST3
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
18+17.35 грн
100+10.95 грн
500+7.65 грн
1000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 RYC002N05T316 ROHM Semiconductor datasheet?p=RYC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 0.9V Drive Nch Si MOSFET
на замовлення 20616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 RYC002N05T316 ROHM ryc002n05t316-e.pdf Description: ROHM - RYC002N05T316 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 RYC002N05T316 ROHM ryc002n05t316-e.pdf Description: ROHM - RYC002N05T316 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 datasheet?p=RYC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 datasheet?p=RYC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RYC002N05T316
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.33 грн
6000+5.52 грн
9000+5.22 грн
15000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 ryc002n05t316-e.pdf
RYC002N05T316
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1439+9.86 грн
1487+9.54 грн
2500+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 1439 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 ryc002n05t316-e.pdf
RYC002N05T316
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1418+10.00 грн
1467+9.67 грн
2500+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 1418 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 ryc002n05t316-e.pdf
RYC002N05T316
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+19.82 грн
100+13.49 грн
500+10.35 грн
1000+8.83 грн
3000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 ryc002n05t316-e.pdf
RYC002N05T316
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
716+19.82 грн
1052+13.49 грн
1370+10.35 грн
1548+8.83 грн
3000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 716 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 datasheet?p=RYC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RYC002N05T316
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: SST3
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.51 грн
18+17.35 грн
100+10.95 грн
500+7.65 грн
1000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 datasheet?p=RYC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RYC002N05T316
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 0.9V Drive Nch Si MOSFET
на замовлення 20616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 ryc002n05t316-e.pdf
RYC002N05T316
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RYC002N05T316 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 ryc002n05t316-e.pdf
RYC002N05T316
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RYC002N05T316 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 datasheet?p=RYC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.