RYC002N05T316 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.32 грн |
| 6000+ | 5.51 грн |
| 9000+ | 5.21 грн |
| 15000+ | 4.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RYC002N05T316 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RYC002N05T316 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm.
Інші пропозиції RYC002N05T316 за ціною від 5.87 грн до 29.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RYC002N05T316 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R |
на замовлення 2909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RYC002N05T316 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RYC002N05T316 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R |
на замовлення 4160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RYC002N05T316 | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R |
на замовлення 4160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RYC002N05T316 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Supplier Device Package: SST3 Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 19969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RYC002N05T316 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 0.9V Drive Nch Si MOSFET |
на замовлення 20616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
RYC002N05T316 | ROHM |
Description: ROHM - RYC002N05T316 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
на замовлення 2583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
RYC002N05T316 | ROHM |
Description: ROHM - RYC002N05T316 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
на замовлення 2583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RYC002N05T316 |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RYC002N05T316 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1439+ | 9.83 грн |
| 1487+ | 9.51 грн |
| 2500+ | 9.23 грн |
| RYC002N05T316 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1418+ | 9.98 грн |
| 1467+ | 9.65 грн |
| 2500+ | 9.36 грн |
| RYC002N05T316 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 47+ | 19.77 грн |
| 100+ | 13.46 грн |
| 500+ | 10.32 грн |
| 1000+ | 8.81 грн |
| 3000+ | 5.87 грн |
| RYC002N05T316 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 716+ | 19.77 грн |
| 1052+ | 13.46 грн |
| 1370+ | 10.32 грн |
| 1548+ | 8.81 грн |
| 3000+ | 5.87 грн |
| RYC002N05T316 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: SST3
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: SST3
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.45 грн |
| 18+ | 17.31 грн |
| 100+ | 10.92 грн |
| 500+ | 7.63 грн |
| 1000+ | 6.79 грн |
| RYC002N05T316 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 0.9V Drive Nch Si MOSFET
MOSFETs 0.9V Drive Nch Si MOSFET
на замовлення 20616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RYC002N05T316 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RYC002N05T316 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
Description: ROHM - RYC002N05T316 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RYC002N05T316 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RYC002N05T316 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
Description: ROHM - RYC002N05T316 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




