RYC002N05T316 Rohm Semiconductor


datasheet?p=RYC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.32 грн
6000+5.51 грн
9000+5.21 грн
15000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RYC002N05T316 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RYC002N05T316 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm.

Інші пропозиції RYC002N05T316 за ціною від 5.87 грн до 29.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RYC002N05T316 RYC002N05T316 Rohm Semiconductor ryc002n05t316-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1439+9.83 грн
1487+9.51 грн
2500+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 1439 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 RYC002N05T316 Rohm Semiconductor ryc002n05t316-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1418+9.98 грн
1467+9.65 грн
2500+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 1418 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 RYC002N05T316 Rohm Semiconductor ryc002n05t316-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+19.77 грн
100+13.46 грн
500+10.32 грн
1000+8.81 грн
3000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 RYC002N05T316 Rohm Semiconductor ryc002n05t316-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
716+19.77 грн
1052+13.46 грн
1370+10.32 грн
1548+8.81 грн
3000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 716 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 RYC002N05T316 Rohm Semiconductor datasheet?p=RYC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: SST3
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.45 грн
18+17.31 грн
100+10.92 грн
500+7.63 грн
1000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 RYC002N05T316 ROHM Semiconductor datasheet?p=RYC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 0.9V Drive Nch Si MOSFET
на замовлення 20616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 RYC002N05T316 ROHM ryc002n05t316-e.pdf Description: ROHM - RYC002N05T316 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 RYC002N05T316 ROHM ryc002n05t316-e.pdf Description: ROHM - RYC002N05T316 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 datasheet?p=RYC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 ryc002n05t316-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1439+9.83 грн
1487+9.51 грн
2500+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 1439 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 ryc002n05t316-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1418+9.98 грн
1467+9.65 грн
2500+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 1418 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 ryc002n05t316-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+19.77 грн
100+13.46 грн
500+10.32 грн
1000+8.81 грн
3000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 ryc002n05t316-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SST T/R
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
716+19.77 грн
1052+13.46 грн
1370+10.32 грн
1548+8.81 грн
3000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 716 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 datasheet?p=RYC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: SST3
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.45 грн
18+17.31 грн
100+10.92 грн
500+7.63 грн
1000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 datasheet?p=RYC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 0.9V Drive Nch Si MOSFET
на замовлення 20616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 ryc002n05t316-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RYC002N05T316 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 ryc002n05t316-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RYC002N05T316 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYC002N05T316 datasheet?p=RYC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.