RYC002N05T316 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.89 грн |
| 6000+ | 5.55 грн |
| 9000+ | 4.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RYC002N05T316 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 350mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA, Supplier Device Package: SST3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RYC002N05T316 за ціною від 4.42 грн до 27.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RYC002N05T316 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Supplier Device Package: SST3 Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 27985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RYC002N05T316 | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 0.9V Drive Nch Si MOSFET |
на замовлення 17949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| RYC002N05T316 |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RYC002N05T316 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: SST3
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: SST3
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 27985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.18 грн |
| 17+ | 18.17 грн |
| 100+ | 9.19 грн |
| 500+ | 7.64 грн |
| 1000+ | 5.95 грн |
| RYC002N05T316 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 0.9V Drive Nch Si MOSFET
MOSFETs 0.9V Drive Nch Si MOSFET
на замовлення 17949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.71 грн |
| 21+ | 15.24 грн |
| 100+ | 8.91 грн |
| 500+ | 6.97 грн |
| 1000+ | 5.73 грн |
| 3000+ | 4.76 грн |
| 6000+ | 4.42 грн |