на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 30.91 грн |
| 14+ | 25.24 грн |
| 100+ | 14.97 грн |
| 500+ | 11.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RZF013P01TL ROHM Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: TUMT3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 6 V.
Інші пропозиції RZF013P01TL за ціною від 8.19 грн до 30.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RZF013P01TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 6 V |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| RZF013P01TL |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| RZF013P01TL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RZF013P01TL SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
RZF013P01TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 6 V |
товару немає в наявності |