Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RZF020P01TL
RZF020P01TL

RZF020P01TL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RZF020P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.77 грн
6000+13.06 грн
9000+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RZF020P01TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RZF020P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2 A, 0.105 ohm, SOT-323T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-323T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції RZF020P01TL за ціною від 12.50 грн до 82.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RZF020P01TL RZF020P01TL ROHM datasheet?p=RZF020P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RZF020P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2 A, 0.105 ohm, SOT-323T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-323T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.40 грн
500+23.33 грн
1000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZF020P01TL RZF020P01TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RZF020P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 9540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.13 грн
10+37.09 грн
100+23.98 грн
500+17.22 грн
1000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZF020P01TL RZF020P01TL ROHM Semiconductor datasheet?p=RZF020P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 1.5V DRVE PCH MOSFET
на замовлення 8132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.10 грн
10+52.16 грн
100+28.23 грн
500+19.47 грн
1000+16.36 грн
3000+14.64 грн
6000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZF020P01TL RZF020P01TL ROHM datasheet?p=RZF020P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RZF020P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2 A, 0.105 ohm, SOT-323T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-323T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.15 грн
14+58.47 грн
100+36.40 грн
500+23.33 грн
1000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZF020P01TL datasheet?p=RZF020P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZF020P01TL datasheet?p=RZF020P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RZF020P01TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RZF020P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2 A, 0.105 ohm, SOT-323T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-323T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+36.40 грн
500+23.33 грн
1000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZF020P01TL datasheet?p=RZF020P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RZF020P01TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 6 V
на замовлення 9540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.13 грн
10+37.09 грн
100+23.98 грн
500+17.22 грн
1000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZF020P01TL datasheet?p=RZF020P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RZF020P01TL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 1.5V DRVE PCH MOSFET
на замовлення 8132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.10 грн
10+52.16 грн
100+28.23 грн
500+19.47 грн
1000+16.36 грн
3000+14.64 грн
6000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZF020P01TL datasheet?p=RZF020P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RZF020P01TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RZF020P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2 A, 0.105 ohm, SOT-323T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-323T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+82.15 грн
14+58.47 грн
100+36.40 грн
500+23.33 грн
1000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZF020P01TL datasheet?p=RZF020P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.