Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RZF030P01TL
RZF030P01TL

RZF030P01TL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RZF030P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 6 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RZF030P01TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RZF030P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.028 ohm, TUMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TUMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції RZF030P01TL за ціною від 15.76 грн до 86.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RZF030P01TL RZF030P01TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RZF030P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 6 V
на замовлення 47030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.76 грн
10+45.78 грн
100+29.89 грн
500+21.66 грн
1000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZF030P01TL RZF030P01TL ROHM Semiconductor datasheet?p=RZF030P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, 1.5A
на замовлення 6592 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+86.37 грн
10+39.19 грн
100+29.98 грн
500+23.31 грн
1000+21.84 грн
3000+16.42 грн
6000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZF030P01TL RZF030P01TL ROHM datasheet?p=RZF030P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RZF030P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.028 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZF030P01TL datasheet?p=RZF030P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RZF030P01TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 6 V
на замовлення 47030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.76 грн
10+45.78 грн
100+29.89 грн
500+21.66 грн
1000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZF030P01TL datasheet?p=RZF030P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RZF030P01TL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, 1.5A
на замовлення 6592 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.37 грн
10+39.19 грн
100+29.98 грн
500+23.31 грн
1000+21.84 грн
3000+16.42 грн
6000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZF030P01TL datasheet?p=RZF030P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RZF030P01TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RZF030P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.028 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.