RZM001P02T2L

RZM001P02T2L Rohm Semiconductor


datasheet?p=RZM001P02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 200000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.23 грн
16000+1.94 грн
24000+1.83 грн
40000+1.61 грн
56000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RZM001P02T2L Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RZM001P02T2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: VMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RZM001P02T2L за ціною від 2.35 грн до 20.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RZM001P02T2L RZM001P02T2L Виробник : ROHM rzm001p02t2l-e.pdf Description: ROHM - RZM001P02T2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.08 грн
1000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
RZM001P02T2L RZM001P02T2L Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RZM001P02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 211495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.88 грн
32+9.56 грн
100+5.89 грн
500+4.04 грн
1000+3.55 грн
2000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RZM001P02T2L RZM001P02T2L Виробник : ROHM rzm001p02t2l-e.pdf Description: ROHM - RZM001P02T2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+16.47 грн
82+10.04 грн
250+4.08 грн
1000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
RZM001P02T2L RZM001P02T2L Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RZM001P02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 1.2V Drive Pch MOSFET
на замовлення 142600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.89 грн
20+16.96 грн
100+7.85 грн
500+5.21 грн
1000+3.16 грн
5000+2.79 грн
8000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RZM001P02T2L Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RZM001P02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RZM001P02T2L SMD P channel transistors
на замовлення 6512 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
23+13.43 грн
430+2.50 грн
1181+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
RZM001P02T2L datasheet?p=RZM001P02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.