Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RZM002P02T2L
RZM002P02T2L

RZM002P02T2L Rohm Semiconductor

datasheet?p=RZM002P02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+4.08 грн
16000+3.57 грн
24000+3.39 грн
40000+2.99 грн
56000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RZM002P02T2L Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RZM002P02T2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції RZM002P02T2L за ціною від 3.18 грн до 24.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RZM002P02T2L RZM002P02T2L ROHM datasheet?p=RZM002P02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RZM002P02T2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.90 грн
250+9.42 грн
1000+5.07 грн
4000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZM002P02T2L RZM002P02T2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RZM002P02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 73953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
23+13.24 грн
100+8.32 грн
500+5.77 грн
1000+5.11 грн
2000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZM002P02T2L RZM002P02T2L ROHM Semiconductor datasheet?p=RZM002P02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TRANS MOSFET P-CH 20V 0.2A TR
на замовлення 21526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.95 грн
25+13.10 грн
100+5.73 грн
500+5.32 грн
1000+4.63 грн
2500+4.28 грн
5000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZM002P02T2L RZM002P02T2L ROHM datasheet?p=RZM002P02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RZM002P02T2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.65 грн
55+14.90 грн
250+9.42 грн
1000+5.07 грн
4000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZM002P02T2L datasheet?p=RZM002P02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZM002P02 T2L ROHM SOT23/SOT323
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZM002P02T2L datasheet?p=RZM002P02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RZM002P02T2L
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RZM002P02T2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+14.90 грн
250+9.42 грн
1000+5.07 грн
4000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZM002P02T2L datasheet?p=RZM002P02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RZM002P02T2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 73953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.52 грн
23+13.24 грн
100+8.32 грн
500+5.77 грн
1000+5.11 грн
2000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZM002P02T2L datasheet?p=RZM002P02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RZM002P02T2L
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TRANS MOSFET P-CH 20V 0.2A TR
на замовлення 21526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+22.95 грн
25+13.10 грн
100+5.73 грн
500+5.32 грн
1000+4.63 грн
2500+4.28 грн
5000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZM002P02T2L datasheet?p=RZM002P02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RZM002P02T2L
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RZM002P02T2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+24.65 грн
55+14.90 грн
250+9.42 грн
1000+5.07 грн
4000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZM002P02T2L datasheet?p=RZM002P02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZM002P02 T2L
Виробник: ROHM
SOT23/SOT323
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.