RZM002P02T2L Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 3.46 грн |
| 16000+ | 3.26 грн |
| 24000+ | 3.18 грн |
| 40000+ | 2.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RZM002P02T2L Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RZM002P02T2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RZM002P02T2L за ціною від 2.86 грн до 27.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RZM002P02T2L | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RZM002P02T2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RZM002P02T2L | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RZM002P02T2L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RZM002P02T2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V |
на замовлення 50717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RZM002P02T2L | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET TRANS MOSFET P-CH 20V 0.2A TR |
на замовлення 186749 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RZM002P02T2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RZM002P02T2L SMD P channel transistors |
на замовлення 6326 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| RZM002P02T2L |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| RZM002P02 T2L | Виробник : ROHM | SOT23/SOT323 |
на замовлення 1702 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |