Продукція > ROHM > RZR025P01TL
RZR025P01TL

RZR025P01TL ROHM

ROHM-S-A0009016508-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ROHM
Description: ROHM - RZR025P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.044 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+37.26 грн
24+ 32.27 грн
100+ 24.14 грн
500+ 17.64 грн
1000+ 11.37 грн
Мінімальне замовлення: 20
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RZR025P01TL ROHM

Description: ROHM - RZR025P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.044 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції RZR025P01TL за ціною від 12.55 грн до 43.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RZR025P01TL RZR025P01TL Виробник : Rohm Semiconductor RSR025N03TL_1.jpg Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 6 V
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.8 грн
10+ 31.83 грн
100+ 22.12 грн
500+ 16.21 грн
1000+ 13.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
RZR025P01TL RZR025P01TL Виробник : ROHM Semiconductor ROHM_S_A0009016508_1-2563075.pdf MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -2.5A
на замовлення 3011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.71 грн
10+ 36.74 грн
100+ 23.91 грн
500+ 18.8 грн
1000+ 14.55 грн
3000+ 13.22 грн
6000+ 12.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
RZR025P01TL RSR025N03TL_1.jpg
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RZR025P01TL RZR025P01TL Виробник : Rohm Semiconductor RSR025N03TL_1.jpg Description: MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 6 V
товар відсутній