Продукція > ROHM > RZR040P01TL

RZR040P01TL ROHM


rzr040p01tl-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RZR040P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+38.98 грн
24+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RZR040P01TL ROHM

Description: ROHM - RZR040P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RZR040P01TL за ціною від 19.82 грн до 76.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RZR040P01TL RZR040P01TL Rohm Semiconductor rzr040p01tl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+45.84 грн
100+30.08 грн
500+21.87 грн
1000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZR040P01TL RZR040P01TL ROHM Semiconductor rzr040p01-e-1139194.pdf MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -4A
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RZR040P01TL rzr040p01tl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.11 грн
10+45.84 грн
100+30.08 грн
500+21.87 грн
1000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RZR040P01TL rzr040p01-e-1139194.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -4A
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.