RZR040P01TL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RZR040P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 40.04 грн |
| 25+ | 35.05 грн |
| 100+ | 29.04 грн |
| 500+ | 24.21 грн |
| 1000+ | 20.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RZR040P01TL ROHM
Description: ROHM - RZR040P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RZR040P01TL за ціною від 21.03 грн до 53.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RZR040P01TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 6 V |
на замовлення 1817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RZR040P01TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
 MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -4A |
на замовлення 1338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
RZR040P01TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 6 V |
товару немає в наявності |