S07B-GS08 VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1.5A; DO219AB,SMF; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: DO219AB; SMF
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1.5A; DO219AB,SMF; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1.5A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: DO219AB; SMF
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
65+ | 6.57 грн |
100+ | 3.79 грн |
305+ | 2.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S07B-GS08 VISHAY
Description: VISHAY - S07B-GS08 - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 700 mA, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 25 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-219AB, Durchlassstoßstrom: 25A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: 1.8µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: S07B, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції S07B-GS08 за ціною від 3.3 грн до 39.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
S07B-GS08 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1.5A; DO219AB,SMF; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: DO219AB; SMF Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 25A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 795 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
S07B-GS08 | Виробник : Vishay Semiconductors | Rectifiers 0.7 Amp 100 Volt 1.8uS |
на замовлення 20383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
S07B-GS08 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - S07B-GS08 - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 700 mA, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 25 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S07B productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 47850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
S07B-GS08 | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1.5A 1800ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SMF T/R |
на замовлення 3904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
S07B-GS08 Код товару: 132451 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
S07B-GS08 | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1.5A 1800ns Automotive 2-Pin SMF T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
S07B-GS08 | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1.5A 1800ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SMF T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
S07B-GS08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GP 100V 700MA DO219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 700mA Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
S07B-GS08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GP 100V 700MA DO219AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 700mA Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |