
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S07J-GS08 Vishay
Description: VISHAY - S07J-GS08 - Diode mit Standard-Erholzeit, Schaltrelais, 600 V, 700 mA, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 25 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-219AB, Durchlassstoßstrom: 25A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: 1.8µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: S07J, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції S07J-GS08 за ціною від 2.33 грн до 28.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
S07J-GS08 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
S07J-GS08 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
S07J-GS08 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
S07J-GS08 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
S07J-GS08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 700mA Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
S07J-GS08 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 18521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
S07J-GS08 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S07J productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 29946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
S07J-GS08 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 18521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
S07J-GS08 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 1.8us; DO219AB,SMF; Ufmax: 1.1V Mounting: SMD Case: DO219AB; SMF Capacitance: 4pF Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.1V Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 1.8µs Max. forward impulse current: 25A Leakage current: 50µA Kind of package: 7 inch reel Type of diode: rectifying Quantity in set/package: 3000pcs. Features of semiconductor devices: glass passivated |
на замовлення 1374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
S07J-GS08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 700mA Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 65423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
S07J-GS08 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S07J productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 29946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
S07J-GS08 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 1.8us; DO219AB,SMF; Ufmax: 1.1V Mounting: SMD Case: DO219AB; SMF Capacitance: 4pF Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.1V Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 1.8µs Max. forward impulse current: 25A Leakage current: 50µA Kind of package: 7 inch reel Type of diode: rectifying Quantity in set/package: 3000pcs. Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1374 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
S07J-GS08 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 15548 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
S07J-GS08 Код товару: 206178
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|