S07M-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division


s07b.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 700mA
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+6.52 грн
30000+6.20 грн
50000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S07M-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Current - Average Rectified (Io): 700mA, Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Інші пропозиції S07M-GS18 за ціною від 4.40 грн до 34.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
S07M-GS18 S07M-GS18 Vishay Semiconductors s07b.pdf Rectifiers 0.7 Amp 1000 Volt 1.8uS
на замовлення 58249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+9.12 грн
52+6.18 грн
100+5.17 грн
500+4.96 грн
1000+4.47 грн
2500+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S07M-GS18 S07M-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division s07b.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 700mA
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 96961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.56 грн
13+23.30 грн
100+11.74 грн
500+9.77 грн
1000+7.60 грн
2000+6.80 грн
5000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S07M-GS18 s07b.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 0.7 Amp 1000 Volt 1.8uS
на замовлення 58249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
36+9.12 грн
52+6.18 грн
100+5.17 грн
500+4.96 грн
1000+4.47 грн
2500+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S07M-GS18 s07b.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 700mA
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 96961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.56 грн
13+23.30 грн
100+11.74 грн
500+9.77 грн
1000+7.60 грн
2000+6.80 грн
5000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.