Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > S1AL RVG

S1AL RVG Taiwan Semiconductor

S1AL%20SERIES_Q2108.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifier Diode Switching 50V 1A 1800ns 2-Pin Sub SMA T/R
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
61+12.44 грн
84+9.05 грн
88+8.63 грн
140+5.22 грн
157+4.30 грн
250+3.66 грн
500+3.31 грн
1000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S1AL RVG Taiwan Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: Sub SMA, Current - Average Rectified (Io): 1A, Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-219AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції S1AL RVG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
S1AL RVG S1AL RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_Q2108.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1AL RVG S1AL RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_Q2108.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1AL RVG S1AL RVG Taiwan Semiconductor S1AL%20SERIES_Q2108.pdf Rectifiers 1A, 50V, Standard Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1AL RVG S1AL%20SERIES_Q2108.pdf
S1AL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1AL RVG S1AL%20SERIES_Q2108.pdf
S1AL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1AL RVG S1AL%20SERIES_Q2108.pdf
S1AL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 1A, 50V, Standard Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.