S1B-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7500+ | 2.86 грн |
| 15000+ | 2.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S1B-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Current - Average Rectified (Io): 1A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AC, SMA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції S1B-E3/5AT за ціною від 2.16 грн до 24.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
S1B-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Current - Average Rectified (Io): 1A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 52836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
S1B-E3/5AT | Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt 40A IFSM @ 8.3ms |
на замовлення 14174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| S1B-E3/5AT |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 52836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.07 грн |
| 25+ | 12.10 грн |
| 100+ | 5.92 грн |
| 500+ | 4.63 грн |
| 1000+ | 3.22 грн |
| 2000+ | 2.79 грн |
| S1B-E3/5AT |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt 40A IFSM @ 8.3ms
Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt 40A IFSM @ 8.3ms
на замовлення 14174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 24.52 грн |
| 23+ | 13.97 грн |
| 100+ | 8.10 грн |
| 500+ | 5.31 грн |
| 1000+ | 3.77 грн |
| 5000+ | 2.79 грн |
| 7500+ | 2.16 грн |