S1BL TAIWAN SEMICONDUCTOR
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - S1BL - Diode mit Standard-Erholzeit, glaspassiviert, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Sub-SMA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1.8µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 4.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S1BL TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - S1BL - Diode mit Standard-Erholzeit, glaspassiviert, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Sub-SMA, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: 1.8µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: S1xL Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції S1BL за ціною від 4.20 грн до 30.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S1BL | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
S1BL | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Diode Switching 100V 1A 2-Pin Sub SMA |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S1BL | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - S1BL - Diode mit Standard-Erholzeit, glaspassiviert, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Sub-SMA Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S1BL productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 34750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S1BL | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - S1BL - Diode mit Standard-Erholzeit, glaspassiviert, 100 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Sub-SMA Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S1xL Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 21377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S1BL | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
на замовлення 19341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| S1BL | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 100V 1A 1800ns 2-Pin Sub SMA |
товару немає в наявності |