S1DHE3_A/H

S1DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division


s1.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+4.51 грн
3600+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S1DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції S1DHE3_A/H за ціною від 3.74 грн до 21.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S1DHE3_A/H S1DHE3_A/H Виробник : Vishay General Semiconductor s1.pdf Rectifiers 1A 200V 40A@8.3ms Single Die Auto
на замовлення 9723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.38 грн
25+13.59 грн
100+6.16 грн
1000+5.06 грн
1800+4.33 грн
9000+3.96 грн
23400+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
S1DHE3_A/H S1DHE3_A/H Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.44 грн
22+14.22 грн
100+7.17 грн
500+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.