S1FLD-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 200V 700MA DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 700mA
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.46 грн |
| 6000+ | 3.98 грн |
| 9000+ | 3.30 грн |
| 30000+ | 3.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S1FLD-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 200V 700MA DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 700mA, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції S1FLD-M-08 за ціною від 4.05 грн до 25.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S1FLD-M-08 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers GENPURP SWITCHING DIODESMFDO219ECO-e3M |
на замовлення 24421 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S1FLD-M-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GP 200V 700MA DO219AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 700mA Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|